光刻是制造芯片的核心工艺，其精度由瑞利公式决定：分辨率 = k₁ × 波长 / 数值孔径。要想刻出更精细的电路，无非「缩短波长」或「增大数值孔径」两条路。如今EUV光刻已用13.5纳米波长实现量产，下一代技术正站在十字路口。
Hyper NA：被成本卡住的方案
ASML原本规划在High NA（数值孔径0.55）之后，再推出Hyper NA（数值孔径0.75），进一步提升分辨率。但High NA的造价已经让晶圆厂叫苦不迭，Hyper NA的量产成本很可能高到无法落地。业界普遍担忧，Hyper NA大概率会胎死腹中。
波长再缩短：物理天花板的逼近
理论上可以把波长压到6.x纳米，但这条路布满荆棘。短波长光的反射镜极难制造，反射效率急剧下降；现有的LPP（激光等离子体）光源也难以支撑更短波长，可能需要切换到同步辐射方案——这正是网络上热议的「光刻厂」概念，通过巨型加速器产生高亮度光源。不过同步辐射设施的规模与成本，与现有光刻机完全不在一个量级，能否商业化仍是未知数。
多重曝光：老办法续命
即便13.5纳米是现有技术的终点，芯片制造商也不是无路可走。多重曝光技术已经非常成熟——当年EUV还没诞生时，厂商用193纳米光源硬是刻出了10纳米级别的芯片。通过双重、三重甚至更多次曝光，理论上还能继续压榨现有设备的潜力。
太空光刻：科幻还是未来？
有观点认为，更高精度的光刻系统最终可能搬上太空。近地轨道的微重力和天然真空环境，能消除地面设备受重力形变、真空容器制造困难等问题。不过这类方案目前仍停留在概念阶段，实用化遥遥无期。
光刻技术的确快撞上物理墙了，但它与摩尔定律的终结不能画等号。GAA晶体管、背部供电、CFET等后段工艺创新仍在不断拓展芯片性能的边界。
编注：材料为知乎问答合集，涵盖技术路线分析（Hyper NA/短波长/同步辐射）与行业趋势判断，主线为下一代光刻技术发展方向。