室温水直灌芯片内部:韩国团队液冷性能破纪录,成本大幅降低

室温水直灌芯片内部:韩国团队液冷性能破纪录,成本大幅降低

_

韩国科学技术院(KAIST)研究团队研发出一种超高效芯片液冷技术,冷却性能系数(COP)达到106000,是此前世界纪录的约10倍。这意味着在完成同等散热任务时,所需的泵送功率可降至现有技术的十分之一。

散热瓶颈催生新方案

随着AI硬件往高密度集成方向加速演进,设备运转产生的热量急剧攀升,传统空气冷却和外部冷却板方法正逼近物理极限。该团队转而探索将冷却剂直接注入芯片内部的液冷方案——在硅芯片内部嵌入3D流形多路微通道冷却结构,利用多个战略性入口与出口点形成高效冷却网络。

歧管+微通道:分散式设计破局

该技术的核心在于将歧管(冷却水分配结构)与比头发丝还细的微通道相结合。冷却水经歧管均匀分配至各通道后,每个通道内只需流动极短距离,流动阻力骤降,所需泵送压力随之大幅减小。与之配合的是一套多精度优化框架,将快速的一维模型与精确的三维计算流体动力学(CFD)模拟相结合,同时优化冷却性能、压力损失和温度均匀性。

实测表明,即使在超过2000瓦/平方厘米的极端发热条件下,这套设计也能让芯片温度保持在100℃以下。基于5mm×5mm测试芯片的结果推算,当应用于大型AI半导体(最大7.5cm×7.5cm)和数据中心冷板时,冷却性能相比现有方法可提升30%以上。

降本路线:普通清水+CMOS兼容工艺

更关键的是,这套方案大幅降低了散热技术的应用门槛。它无需相变制冷、纳米表面改性等复杂工艺,也不依赖金刚石等高价特种散热材料,仅以普通常温清水作为冷却介质。更重要的是,该装置采用与CMOS工艺兼容的制造流程,可直接在现有芯片代工厂落地,无需额外设备。

研究团队表示,该技术可推广应用于高性能计算(HPC)、3D堆叠半导体、功率半导体和国防电子设备等发热量大的领域。

编注:材料来源为财联社编译综合稿,原始论文6月15日发表于《能源转换与管理》期刊。信源侧重技术原理与性能数据,商业化时间表与具体成本测算尚未涉及。


沃什首秀美联储按兵不动:声明删前瞻指引、通胀预期升至3.6%、点阵图全面转鹰 2026-06-18
美伊备忘录14条全解密:停火换开放,60天谈判将如何收尾? 2026-06-18